該公司代工業務部技術開發部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，到年三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產了基于 GAA 技術的將芯 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，片代3 納米芯片的工廠功耗降低了 45%，性能提高了 23%，提高面積減少了 16%。倍上
三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的星電生產能力，其目標是目標到 2027 年將其生產能力提高三倍以上。為此，到年這家芯片制造商正在推行“外殼優先”戰略，將芯即首先建造一個無塵室，片代然后在市場需求出現時靈活地運營該設施。工廠
三星電子代工業務部總裁 Choi Si-young 稱：“我們正在韓國和美國經營五家工廠，提高我們已經獲得了建造 10 多座工廠的場地。”
IT之家了解到，三星電子計劃在 2023 年推出第二代 3 納米工藝，在 2025 年開始量產 2 納米，在 2027 年推出 1.4 納米工藝，三星于 10 月 3 日（當地時間）在舊金山首次披露這一技術路線圖。
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